| 商標(biāo) | 名稱(chēng) | 商標(biāo)注冊(cè)號(hào) | 類(lèi)號(hào) |
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SMIC | 1797385 | 第9類(lèi) |
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中芯 | 3933285 | 第9類(lèi) |
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SMIC | 3933287 | 第9類(lèi) |
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DDF DOUBLE DENSITY FLASH | 5619861 | 第9類(lèi) |
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SMIC UNITED LABS | 8157420 | 第9類(lèi) |
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SMIC | 8157421 | 第9類(lèi) |
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SMIC | 9436366 | 第9類(lèi) |
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SMIC | 2024410 | 第40類(lèi) |
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中芯 | 3933286 | 第40類(lèi) |
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SMIC | 3933288 | 第40類(lèi) |
| 專(zhuān)利號(hào)/專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?/td> | 類(lèi)型 | 專(zhuān)利名稱(chēng) | 公布日期 |
| CN201621163461.1 | 實(shí)用新型 | 監(jiān)控FinFET器件自發(fā)熱效應(yīng)的結(jié)構(gòu) | 20170419 |
| CN201310092800.6 | 發(fā)明 | 半導(dǎo)體器件的形成方法 | 20170714 |
| CN201110219819.3 | 發(fā)明 | 用于甲硅烷化的預(yù)處理方法及包括該方法的甲硅烷化方法 | 20160217 |
| CN200810040570.8 | 發(fā)明 | 集成靜電放電器件 | 20110323 |
| CN201010118029.1 | 發(fā)明 | 用于評(píng)價(jià)改善負(fù)偏壓下溫度不穩(wěn)定性效應(yīng)工藝效果的方法 | 20131211 |
| CN200910247209.7 | 發(fā)明 | 一種針孔類(lèi)生長(zhǎng)缺陷的檢測(cè)方法 | 20120725 |
| CN201110338861.7 | 發(fā)明 | EEPROM存儲(chǔ)器及其制作方法 | 20160316 |
| CN201110338864.0 | 發(fā)明 | CMOS形成方法 | 20160316 |
| CN201010532525.1 | 發(fā)明 | 芯片固定基座和芯片固定連接方式 | 20150401 |
| CN201210332980.6 | 發(fā)明 | 半導(dǎo)體檢測(cè)結(jié)構(gòu)及形成方法 | 20160316 |
