1、柵極G:mosfet管的柵極G是控制端,名字為gate,在G端加入高低電平即可控制mosfet管的開(kāi)斷。對(duì)于NMOS而言,要求Vgs>0時(shí),MOS管導(dǎo)通,否則mosfet關(guān)斷;對(duì)于PMOS而言,要求Vgs<0時(shí),mosfet管導(dǎo)通,否則mosfet關(guān)斷。
2、源極S:源極,名字為Source,簡(jiǎn)稱(chēng)S。對(duì)NMOS而言,源極S是流出端,對(duì)PMOS而言,源極S是流入端。
3、漏極D:漏極,名字為Drain,簡(jiǎn)稱(chēng)D。對(duì)NMOS而言,漏極D是流入端,對(duì)PMOS而言,源極S是流出端。